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STP6N90K5
規(guī)格信息：

制造商:STMicroelectronics

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:900 V

Id-連續(xù)漏極電流:6 A

Rds On-漏源導通電阻:910 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

Qg-柵極電荷:11 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:110 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:MDmesh

系列:STP6N90K5

晶體管類型:1 N-Channel

商標:STMicroelectronics

下降時間:15.5 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:12.2 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:30.4 ns

典型接通延遲時間:12.4 ns

單位重量:2 g

介紹圖STP6N90K5
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
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