其它有關(guān)文件：STP8N65M5 View All Specifications
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：5th Generation High Voltage Mosfet Technology
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：MDmesh? V
包裝：管件
FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）：650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：7A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：600 毫歐 @ 3.5A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：15nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：690pF @ 100V
功率 - 最大值：70W
安裝類(lèi)型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3 成形引線
供應(yīng)商器件封裝：TO-220-3
其它名稱：497-10885-5