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STP11NM80
規(guī)格信息：

制造商:STMicroelectronics

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:800 V

Id-連續(xù)漏極電流:11 A

Rds On-漏源導通電阻:400 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

最小工作溫度:- 65 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:150 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:MDmesh

封裝:Tube

高度:9.15 mm

長度:10.4 mm

系列:STP11NM80

晶體管類型:1 N-Channel

類型:MOSFET

寬度:4.6 mm

商標:STMicroelectronics

正向跨導 - 最小值:8 S

下降時間:15 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:17 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:46 ns

典型接通延遲時間:22 ns

單位重量:1.438 g

STP11NM80

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
STP11NM80	MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh	STMicroelectronics	889.33 Kbytes	共22頁	產(chǎn)品購買
STP11NM80	MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB	STMicroelectronics	904.77 Kbytes	共22頁	產(chǎn)品購買
STP11NM80	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：11A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：800V 柵源極閾值電壓：5V @ 250uA 漏源導通電阻：400mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 類型：N溝道	ST(意法半導體)	904.77 Kbytes	共22頁	產(chǎn)品購買