系列：STB
高度：4.6 mm
長度：10.4 mm
類型：MOSFET
寬度：9.35 mm
最大工作溫度：+ 175 C
最小工作溫度：- 65 C
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Single
下降時(shí)間：30 ns
典型接通延遲時(shí)間：35 ns
上升時(shí)間：220 ns
Vgs-柵極-源極電壓：15 V
Pd-功率耗散：110 W
通道數(shù)量：1 Channel
Id-連續(xù)漏極電流：60 A
Vds-漏源極擊穿電壓：60 V
晶體管類型：1 N-Channel
RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻：14 mOhms
通道模式：Enhancement
晶體管極性：N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：55 ns
正向跨導(dǎo)-最小值：20 S
FET類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：60A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：66nC @ 4.5V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：2000pF @ 25V
Vgs（最大值）：±15V
功率耗散（最大值）：110W（Tc）
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：14 毫歐 @ 30A，10V
工作溫度：-65°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2引線+接片），TO-263AB
封裝形式Package：D2PAK
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：60V
連續(xù)漏極電流ID：60A
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs