其它有關(guān)文件：STB36NM60N View All Specifications
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：Automotive Grade Transistors and Discretes
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：MDmesh? II
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：29A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：105 毫歐 @ 14.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：83.6nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：2722pF @ 100V
功率 - 最大值：210W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝：D²PAK
其它名稱：497-12972-2