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STB24N60DM2
規(guī)格信息：

制造商:STMicroelectronics

產品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:TO-263-3

通道數量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Id-連續(xù)漏極電流:18 A

Rds On-漏源導通電阻:200 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V

Vgs - 柵極-源極電壓:25 V

Qg-柵極電荷:29 nC

Pd-功率耗散:150 W

配置:Single

商標名:FDmesh

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

系列:STB24N60DM2

商標:STMicroelectronics

下降時間:15 ns

產品類型:MOSFET

上升時間:8.7 ns

工廠包裝數量:1000

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:60 ns

典型接通延遲時間:15 ns

單位重量:4 g

介紹圖STB24N60DM2
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
STB24N60DM2N-channel 600 V, 0.175 (ohm) typ., 18 A FDmesh II Plus low Qg Power MOSFETs in D2PAK, TO-220 and TO-247 packages STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]的LOGO-天天IC網1200.83 Kbytes共21頁STB24N60DM2的PDF文件地址 STB24N60DM2的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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