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STB20NM60
規(guī)格信息：

典型關(guān)斷延遲時間42 ns

典型接通延遲時間25 ns

典型柵極電荷@Vgs39 nC V @ 10

典型輸入電容值@Vds1500 pF V @ 25

安裝類型表面貼裝

寬度9.35mm

封裝類型D2PAK

尺寸10.4 x 9.35 x 4.6mm

引腳數(shù)目3

最低工作溫度-65 °C

最大功率耗散192000 mW

最大柵源電壓±30 V

最大漏源電壓600 V

最大漏源電阻值0.29

最大連續(xù)漏極電流20 A

最高工作溫度+150 °C

每片芯片元件數(shù)目1

類別功率 MOSFET

通道模式增強

通道類型N

配置單

長度10.4mm

高度4.6mm

STB20NM60

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
STB20NM60	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	313.78 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
STB20NM60-1	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	358.54 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
STB20NM60D	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	313.79 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
STB20NM60T4	MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp	STMicroelectronics	422.57 Kbytes	共18頁	產(chǎn)品購買
STB20NM60T4	MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK	STMicroelectronics	437.10 Kbytes	共18頁	產(chǎn)品購買
STB20NM60T4		ST(意法半導體)	437.10 Kbytes	共18頁	產(chǎn)品購買