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典型關(guān)斷延遲時(shí)間75 ns

典型接通延遲時(shí)間15 ns

典型柵極電荷@Vgs60 nC V @ 10

典型輸入電容值@Vds1270 pF V @ 25

安裝類型表面貼裝

寬度9.35mm

封裝類型D2PAK

尺寸10.4 x 9.35 x 4.6mm

引腳數(shù)目3

最低工作溫度-65 °C

最大功率耗散140 W

最大柵源電壓±20 V

最大漏源電壓250 V

最大漏源電阻值0.28

最大連續(xù)漏極電流16 A

最高工作溫度+175 °C

每片芯片元件數(shù)目1

類別功率 MOSFET

通道模式增強(qiáng)

通道類型N

配置單

長(zhǎng)度10.4mm

高度4.6mm