制造商:STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:TO-263-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
Id-連續(xù)漏極電流:20 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:150 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
Vgs - 柵極-源極電壓:25 V
Qg-柵極電荷:35 nC
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:170 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:MDmesh
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
系列:STB28N65M2
晶體管類型:1 N-Channel
商標(biāo):STMicroelectronics
下降時間:8.8 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:10 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:59 ns
典型接通延遲時間:13.4 ns
單位重量:4 g
STB28N65M2
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STB28N65M2 | Extremely low gate charge | STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics] | 1240.8 Kbytes | 共22頁 | 產(chǎn)品購買 |
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