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通道類型：N

最大連續(xù)漏極電流：55 A

最大漏源電壓：60 V

最大漏源電阻值：18 m0hms

最小柵閾值電壓：1V

最大柵源電壓：-16 V、+16 V

封裝類型：D2PAK (TO-263)

安裝類型：表面貼裝

晶體管配置：單

引腳數(shù)目：3

通道模式：增強(qiáng)

類別：功率 MOSFET

最大功率耗散：95 W

高度：4.6mm

每片芯片元件數(shù)目：1

尺寸：10.4 x 9.35 x 4.6mm

寬度：9.35mm

系列：STripFET II

晶體管材料：Si

典型柵極電荷@Vgs：27 nC @ 4.5 V

典型輸入電容值@Vds：1700 pF@ 25 V

典型關(guān)斷延遲時間：40 ns

典型接通延遲時間：20 ns

最低工作溫度：-55 °C

最高工作溫度：+175 °C

長度：10.4mm

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs