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STB55NF06
規(guī)格信息：

典型關(guān)斷延遲時間36 ns

典型接通延遲時間20 ns

典型柵極電荷@Vgs44.5 nC V @ 10

典型輸入電容值@Vds1300 pF V @ 25

安裝類型表面貼裝

寬度9.35mm

封裝類型D2PAK

尺寸10.4 x 9.35 x 4.6mm

引腳數(shù)目3

最低工作溫度-55 °C

最大功率耗散110000 mW

最大柵源電壓±20 V

最大漏源電壓60 V

最大漏源電阻值0.018

最大連續(xù)漏極電流50 A

最高工作溫度+175 °C

每片芯片元件數(shù)目1

類別功率 MOSFET

通道模式增強

通道類型N

配置單

長度10.4mm

高度4.6mm

STB55NF06

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
STB55NF06	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	317.1 Kbytes	共2頁		產(chǎn)品購買
STB55NF06L	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	986.01 Kbytes	共8頁		產(chǎn)品購買
STB55NF06LT4	N-channel 60V - 0.014Ω - 55A TO-220/D2PAK/I2PAK STripFET? II Power MOSFET	STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics]	337.38 Kbytes	共15頁	STB60NF06_06,STB55NF06_06,STP60NF06_07,STF40NF06_06,STB60NF06L_06,STD65NF06,STD12NF06-1,STD12NF06L_07,STP16NF06_07,STB20NF06L	產(chǎn)品購買
STB55NF06T4	MOSFET N-Ch 60 Volt 50 Amp	STMicroelectronics	778.12 Kbytes	共19頁		產(chǎn)品購買
STB55NF06T4	MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK	STMicroelectronics	793.14 Kbytes	共19頁		產(chǎn)品購買
STB55NF06T4	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：50A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：60V 柵源極閾值電壓：4V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：18mΩ @ 27.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：110W(Tc) 類型：N溝道	ST(意法半導(dǎo)體)	793.14 Kbytes	共19頁		產(chǎn)品購買