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SPP08P06P
規(guī)格信息：

標(biāo)準(zhǔn)包裝：500

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭：FET - 單

系列：SIPMOS®

包裝：管件

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓（Vdss）：60V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：8.8A（Tc）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：300 毫歐 @ 6.2A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：15nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：420pF @ 25V

功率 - 最大值：42W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO220-3

其它名稱：SP000012085SPP08P06PBKSA1SPP08P06PINSPP08P06PXSPP08P06PXKSPP08P06PXTINSPP08P06PXTIN-ND

SPP08P06P

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
SPP08P06P	P-Channel Enhancement mode Avalanche rated dv/dt rated	INFINEON[Infineon Technologies AG]	843.26 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買
SPP08P06P	SIPMOS Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	96.95 Kbytes	共9頁	SPD09P06PL,BSP125,SPD11N10,SPD30P06P,SPB10N10L,BSP324,SPD35N10,SPP10N10L,SPD18P06P,SPI10N10	產(chǎn)品購買
SPP08P06P H	MOSFET P-Ch -60V -8.8A TO220-3	Infineon Technologies	477.63 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買
SPP08P06P_09	P-Channel Enhancement mode Avalanche rated dv/dt rated	INFINEON[Infineon Technologies AG]	843.26 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買
SPP08P06PBKSA1	MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-220AB	Infineon Technologies	96.97 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
SPP08P06PG	P-Channel Enhancement mode Avalanche rated dv/dt rated	INFINEON[Infineon Technologies AG]	843.26 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買
SPP08P06PHXKSA1	MOSFET P-Ch -60V -8.8A TO220-3	Infineon Technologies	477.63 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買
SPP08P06PHXKSA1	MOSFET P-CH 60V 8.8A TO220-3	Infineon Technologies	479.18 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買
SPP08P06PHXKSA1	8.8A, 60V, 0.3OHM, P-CHANNEL, M	Infineon Technologies	479.18 Kbytes	共10頁		產(chǎn)品購買