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SPP04N60C3
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO220-3

安裝風(fēng)格：ThroughHole

通道數(shù)量：1Channel

晶體管極性：N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650V

Id-連續(xù)漏極電流：4.5A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：950mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：20V

最小工作溫度：-55C

最大工作溫度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：50W

通道模式：Enhancement

高度：15.65mm

長(zhǎng)度：10mm

系列：CoolMOSC3

晶體管類型：1N-Channel

寬度：4.4mm

下降時(shí)間：9.5ns

上升時(shí)間：2.5ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：58.5ns

典型接通延遲時(shí)間：6ns

Packing Type：TUBE

RDS (on) max：950.0m?

IDpuls max：13.5A

VDS max：600.0V

ID max：4.5A

Package：TO-220

Rth：2.5K/W

QG：19.0nC

Budgetary Price ?€/1k：0.51

Operating Temperature min：-55.0°C

Ptot max：50.0W

Polarity：N

RthJA max：62.0K/W

VGS(th) min max：2.1V 3.9V

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖SPP04N60C3
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SPP04N60C3N-Channel MOSFET Transistor ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]的LOGO-天天IC網(wǎng)339.31 Kbytes共2頁SPP04N60C3的PDF文件地址 SPP04N60C3的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
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