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SPP08N50C3 PDF文件_規(guī)格信息

SPP08N50C3
規(guī)格信息：

封裝/外殼：PG-TO220-3

安裝風(fēng)格：ThroughHole

通道數(shù)量：1Channel

晶體管極性：N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：560V

Id-連續(xù)漏極電流：7.6A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：600mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：20V

最小工作溫度：-55C

最大工作溫度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：83W

通道模式：Enhancement

高度：15.65mm

長度：10mm

系列：CoolMOSC3

晶體管類型：1N-Channel

寬度：4.4mm

下降時(shí)間：7ns

上升時(shí)間：5ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：60ns

典型接通延遲時(shí)間：6ns

Packing Type：TUBE

RDS (on) max：600.0m?

IDpuls max：22.8A

VDS max：500.0V

ID max：7.6 A

RthJC max：1.5 K/W

QG (typ @10V)：32.0 nC

Package：TO-220

Budgetary Price ?€/1k：0.67

Operating Temperature min：-55.0°C

Ptot max：83.0W

Polarity：N

RthJA max：62.0K/W

VGS(th) min max：2.1 V 3.9 V

Mounting：THT

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

SPP08N50C3

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
SPP08N50C3	Cool MOSa?￠ Power Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	265.73 Kbytes	共13頁	SPN03N60C3,SPP07N60C3,SPP20N60CFD,SPN03N60S5,SPP07N60S5,SPP20N60S5,SPN04N60C2,SPP07N65C3,SPP20N65C3,SPW17N80C3	產(chǎn)品購買
SPP08N50C3	New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated	INFINEON[Infineon Technologies AG]	732.57 Kbytes	共14頁		產(chǎn)品購買
SPP08N50C3	N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	339.41 Kbytes	共2頁		產(chǎn)品購買
SPP08N50C3_09	New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Periodic avalanche rated	INFINEON[Infineon Technologies AG]	732.57 Kbytes	共14頁		產(chǎn)品購買
SPP08N50C3XKSA1	MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-220AB	Infineon Technologies	726.98 Kbytes	共14頁		產(chǎn)品購買

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