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SPP07N60CFD
規(guī)格信息:

安裝風(fēng)格:ThroughHole

封裝/外殼:TO-220-3

通道數(shù)量:1Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:600V

Id-連續(xù)漏極電流:6.6A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:700mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:20V

最小工作溫度:-55C

最大工作溫度:+150C

配置:Single

Pd-功率耗散:83W

通道模式:Enhancement

高度:15.65mm

長度:10mm

系列:CoolMOSCFD

晶體管類型:1N-Channel

寬度:4.4mm

下降時間:9ns

上升時間:25ns

典型關(guān)閉延遲時間:36ns

典型接通延遲時間:12ns

RDS (on) max:700.0m?

IDpuls max:17.0A

VDS max:600.0V

ID max:6.6A

RthJC max:1.5 K/W

Package:TO-220

QG:35.0 nC

Operating Temperature min:-55.0°C

Ptot max:83.0W

Polarity:N

RthJA max:62.0K/W

VGS(th) min max:3.0 V 5.0 V

Mounting:THT

無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs

介紹圖SPP07N60CFD
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
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SPP07N60CFDN-Channel MOSFET Transistor ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]的LOGO-天天IC網(wǎng)338.65 Kbytes共2頁SPP07N60CFD的PDF文件地址 SPP07N60CFD的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
SPP07N60CFDHKSA1MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-220Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)568.51 Kbytes共12頁SPP07N60CFDHKSA1的PDF文件地址 SPP07N60CFDHKSA1的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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