| 型號 | 功能描述 | 生產廠商 | 廠商LOGO | PDF大小 | PDF頁數(shù) | PDF文件 | 相關型號 | 第一頁預覽 | 產品購買 |
| SI2342DS | N-Channel 8 V (D-S) MOSFET | VISHAY[Vishay Siliconix] | ![VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO-天天IC網(wǎng)](https://cache.ttic.cc/PdfSupLogo/177VISHAY.GIF) | 137.97 Kbytes | 共7頁 |  | |
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| SI2342DS | N-Channel 8 V (D-S) MOSFET | TFUNK[Vishay Telefunken] | ![TFUNK[Vishay Telefunken]的LOGO-天天IC網(wǎng)](https://cache.ttic.cc/PdfSupLogo/178TFUNK.GIF) | 247.17 Kbytes | 共8頁 | | |
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| SI2342DS | Halogen-free TrenchFET?? Power MOSFET Low On-Resistance | TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd] | ![TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)](https://cache.ttic.cc/PdfSupLogo/975TYSEMI.GIF) | 223.47 Kbytes | 共2頁 | | |
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| Si2342DS-T1 | 連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：6A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：20V 柵源極閾值電壓：1V @ 250uA 漏源導通電阻：28mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.1W(Tc) 類型：N溝道 | VBsemi(臺灣微碧) |  | 907.30 Kbytes | 共9頁 | | |
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| SI2342DS-T1-GE3 | N-Channel 20 V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | | 1047.83 Kbytes | 共9頁 | | |
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