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SI2338DS
規(guī)格信息：

制造廠商:VISHAY[Vishay Siliconix]

描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

介紹圖SI2338DS
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買
SI2338DSN-Channel 30 V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO-天天IC網(wǎng)243.53 Kbytes共10頁(yè)SI2338DS的PDF文件地址 SI2338DS的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
SI2338DSHalogen-free TrenchFET?? Power MOSFET Low On-Resistance TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)315.57 Kbytes共2頁(yè)SI2338DS的PDF文件地址 SI2338DS的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
SI2338DSN-Channel 30 V (D-S) MOSFET TFUNK[Vishay Telefunken]TFUNK[Vishay Telefunken]的LOGO-天天IC網(wǎng)246.37 Kbytes共10頁(yè)SI2338DS的PDF文件地址 SI2338DS的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
SI2338DS-T1-GE3N-Channel 30-V (D-S) MOSFET VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)1025.46 Kbytes共9頁(yè)SI2338DS-T1-GE3的PDF文件地址 SI2338DS-T1-GE3的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
Si2338DS-T1-GE3連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：6.5A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：2V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：30mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.7W(Tc) 類型：N溝道VBsemi(臺(tái)灣微碧)VBsemi(臺(tái)灣微碧)的LOGO-天天IC網(wǎng)848.21 Kbytes共9頁(yè)Si2338DS-T1-GE3的PDF文件地址 Si2338DS-T1-GE3的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
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