商品類型MOS(場效應(yīng)管)
漏源電壓(Vdss)100V
連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時)2A(Tc)
柵源極閾值電壓2.8V @ 250uA
漏源導(dǎo)通電阻24mΩ @ 1.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)2.5W(Tc)
類型N溝道
SI2328DS
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI2328DS | N-Channel 100-V (D-S) MOSFET | VISHAY[Vishay Siliconix] | 41.78 Kbytes | 共4頁 | SUM34N10-35,SUP85N10-10,SUM60N10-17,SUD06N10-225L,SI4982DY,SUM47N10-24L,SI7456DP,SI7942DP,SI3430DV,SUP90N10-09 | 產(chǎn)品購買 | |||
| SI2328DS | N-Channel 100-V (D-S) MOSFET | VISHAY[Vishay Siliconix] | 80.06 Kbytes | 共5頁 | SI7922DN_07,SUP85N10-10_06,SUM60N10-17_08,SI1304DL,SIE810DF,SI2312DS_05,SI7108DN,SI9956DY,2N7002E,SI1410EDH_08 | 產(chǎn)品購買 | |||
| SI2328DS | 100 0.250 @ VGS = 10 V | TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd] | 92.57 Kbytes | 共2頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| SI2328DS | N-Channel Enhancement MOSFET | KEXIN[Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd] | 1655.53 Kbytes | 共4頁 | 產(chǎn)品購買 | ||||
| SI2328DS_08 | N-Channel 100-V (D-S) MOSFET | VISHAY[Vishay Siliconix] | 80.06 Kbytes | 共5頁 | SI7922DN_07,SUP85N10-10_06,SUM60N10-17_08,SI1304DL,SIE810DF,SI2312DS_05,SI7108DN,SI9956DY,2N7002E,SI1410EDH_08 | 產(chǎn)品購買 | |||
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| SI2328DS-T1-E3 | N-Channel 100-V (D-S) MOSFET | VISHAY[Vishay Siliconix] | 80.06 Kbytes | 共5頁 | SI7922DN_07,SUP85N10-10_06,SUM60N10-17_08,SI1304DL,SIE810DF,SI2312DS_05,SI7108DN,SI9956DY,2N7002E,SI1410EDH_08 | 產(chǎn)品購買 | |||
| SI2328DS-T1-GE3 | N-Channel 100 V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | 1084.24 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 |
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