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SI2329DS
規(guī)格信息：

制造廠商:VISHAY[Vishay Siliconix]

描述:P-Channel 8 V (D-S) MOSFET

介紹圖SI2329DS
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
SI2329DSP-Channel 8 V (D-S) MOSFET VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO-天天IC網(wǎng)178.28 Kbytes共4頁SI2329DS的PDF文件地址 SI2329DS的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
SI2329DSP-Channel Vertical DMOS Macro Model (Subcircuit Model) Level 3 MOS TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]TYSEMI[TY Semiconductor Co., Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)260.7 Kbytes共2頁SI2329DS的PDF文件地址 SI2329DS的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
SI2329DS-T1-GE3MOSFET -8V Vds 5V Vgs SOT-23Vishay / SiliconixVishay / Siliconix的LOGO-天天IC網(wǎng)229.63 Kbytes共10頁SI2329DS-T1-GE3的PDF文件地址 SI2329DS-T1-GE3的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
SI2329DS-T1-GE3MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3Vishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO-天天IC網(wǎng)190.73 Kbytes共9頁SI2329DS-T1-GE3的PDF文件地址 SI2329DS-T1-GE3的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
SI2329DS-T1-GE3連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：6A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：-8V 柵源極閾值電壓：800mV @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：30mΩ @ 5.3A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 類型：P溝道VISHAY(威世)VISHAY(威世)的LOGO-天天IC網(wǎng)228.35 Kbytes共10頁SI2329DS-T1-GE3的PDF文件地址 SI2329DS-T1-GE3的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
SI2329DS-T1-GE3SI2329DS-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor; 6 A; 8 V; 3-Pin TO-236Siliconix / VishaySiliconix / Vishay的LOGO-天天IC網(wǎng)190.73 Kbytes共9頁SI2329DS-T1-GE3的PDF文件地址 SI2329DS-T1-GE3的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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