| 型號 | 功能描述 | 生產(chǎn)廠商 | 廠商LOGO | PDF大小 | PDF頁數(shù) | PDF文件 | 相關(guān)型號 | 第一頁預(yù)覽 | 產(chǎn)品購買 |
| PSMN1R0-30YLD | N-channel 30 V, 1.0 mΩ, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology | NEXPERIA[Nexperia B.V. All rights reserved] | ![NEXPERIA[Nexperia B.V. All rights reserved]的LOGO-天天IC網(wǎng)](https://cache.ttic.cc/PdfSupLogo/1325NEXPERIA.GIF) | 724.08 Kbytes | 共13頁 |  | |
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| PSMN1R0-30YLD_15 | N-channel 30 V, 1.0 m?? logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology | PHILIPS[NXP Semiconductors] | ![PHILIPS[NXP Semiconductors]的LOGO-天天IC網(wǎng)](https://cache.ttic.cc/PdfSupLogo/117PHILIPS.GIF) | 243.02 Kbytes | 共13頁 | | |
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| PSMN1R0-30YLDX | MOSFET N-CH 30V 1.0 mOhm logic level MOSFET | Nexperia | | 716.59 Kbytes | 共13頁 | | |
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| PSMN1R0-30YLDX | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56 | Nexperia USA Inc. | | 717.73 Kbytes | 共13頁 | | |
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| PSMN1R0-30YLDX | 連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：100A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：2.2V @ 2mA 漏源導(dǎo)通電阻：1.02mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：238W(Tc) 類型：N溝道 | Nexperia(安世) | | 717.73 Kbytes | 共13頁 | | |
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| PSMN1R0-30YLDX | 連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：300A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：30V 柵源極閾值電壓：2.2V @ 2mA 漏源導(dǎo)通電阻：1.02mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：238W(Tc) 類型：N溝道 | Nexperia(安世) | | 717.73 Kbytes | 共13頁 | | |
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