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PSMN130-200D
規(guī)格信息：

制造商:NXP

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:20 A

Vds-漏源極擊穿電壓:200 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:130 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:150 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DPAK-3

商標(biāo):NXP Semiconductors

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時(shí)間:38 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:46 ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:50 ns

典型接通延遲時(shí)間:15 ns

PSMN130-200D

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
PSMN130-200D	N-channel TrenchMOS transistor	PHILIPS[NXP Semiconductors]	150.93 Kbytes	共12頁(yè)	PHP34NQ10T,PHP9NQ20T,PSMN015-100B,PSMN130-200D,PSMN005-75P,IRF530N,PHB45NQ10T,PHN70308,PHT2NQ10T,PSMN020-150W	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
PSMN130-200D	N-channel TrenchMOS transistor	PHILIPS[NXP Semiconductors]	143.9 Kbytes	共12頁(yè)	PHP34NQ10T,PHP9NQ20T,PSMN015-100B,PSMN130-200D,PSMN005-75P,IRF530N,PHB45NQ10T,PHN70308,PHT2NQ10T,PSMN020-150W	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
PSMN130-200D	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	250.09 Kbytes	共2頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
PSMN130-200D,118	MOSFET N-CH TRENCH 200V 20A	Nexperia	726.95 Kbytes	共12頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
PSMN130-200D,118	MOSFET N-CH 200V 20A DPAK	Nexperia USA Inc.	899.22 Kbytes	共12頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
PSMN130-200D,118		Nexperia(安世)	899.22 Kbytes	共12頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
PSMN130-200D_15	N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET	PHILIPS[NXP Semiconductors]	331.86 Kbytes	共12頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)