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PSMN057-200B
規(guī)格信息：

制造商:NXP

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:39 A

Vds-漏源極擊穿電壓:200 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:57 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:250 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:D2PAK-3

商標(biāo):NXP Semiconductors

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:78 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:58 ns

典型關(guān)閉延遲時間:105 ns

典型接通延遲時間:18 ns

PSMN057-200B

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
PSMN057-200B	N-channel TrenchMOS transistor	PHILIPS[NXP Semiconductors]	98.06 Kbytes	共9頁	PHP34NQ10T,PHP9NQ20T,PSMN015-100B,PSMN130-200D,PSMN005-75P,IRF530N,PHB45NQ10T,PHN70308,PHT2NQ10T,PSMN020-150W	產(chǎn)品購買
PSMN057-200B,118	MOSFET TAPE13 MOSFET	Nexperia	696.82 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
PSMN057-200B,118	MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK	Nexperia USA Inc.	697.72 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
PSMN057-200B,118	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：39A 漏源電壓（Vdss）：200V 柵源極閾值電壓：4V @ 1mA 漏源導(dǎo)通電阻：57Ω @ 17A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：250W 類型：N溝道	Nexperia(安世)	232.74 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
PSMN057-200B_15	N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET	PHILIPS[NXP Semiconductors]	238.54 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買