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PSMN030-150P
規(guī)格信息：

制造商:NXP

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

商標(biāo):NXP Semiconductors

Id-連續(xù)漏極電流:55.5 A

Vds-漏源極擊穿電壓:150 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:30 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:250 W

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

封裝:Rail

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:76 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:71 ns

工廠包裝數(shù)量:50

典型關(guān)閉延遲時間:97 ns

典型接通延遲時間:18 ns

零件號別名:PSMN030-150P,127

PSMN030-150P

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
PSMN030-150P	N-channel TrenchMOS transistor	PHILIPS[NXP Semiconductors]	97.89 Kbytes	共8頁	PHP34NQ10T,PHP9NQ20T,PSMN015-100B,PSMN130-200D,PSMN005-75P,IRF530N,PHB45NQ10T,PHN70308,PHT2NQ10T,PSMN020-150W	產(chǎn)品購買
PSMN030-150P,127	MOSFET RAIL PWR-MOS	Nexperia	792.30 Kbytes	共13頁		產(chǎn)品購買
PSMN030-150P,127	MOSFET N-CH 150V 55.5A TO220AB	Nexperia USA Inc.	833.70 Kbytes	共13頁		產(chǎn)品購買
PSMN030-150P,127	MOSFET N-CH 150V 55.5A TO220AB	NXP USA Inc.	833.70 Kbytes	共13頁		產(chǎn)品購買
PSMN030-150P,127		Nexperia(安世)	833.70 Kbytes	共13頁		產(chǎn)品購買