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PSMN025-100D
規(guī)格信息：

制造商:NXP

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:47 A

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Rds On-漏源導通電阻:25 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:150 W

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DPAK-3

封裝:Reel

商標:NXP Semiconductors

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:58 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:72 ns

典型關(guān)閉延遲時間:69 ns

典型接通延遲時間:18 ns

PSMN025-100D

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
PSMN025-100D	N-channel TrenchMOS SiliconMAX standard level FET	NXP[NXP Semiconductors]	177.95 Kbytes	共11頁	BUK754R0-55B,BUK7E07-55B,PML260SN,BUK7508-40B,BUK75,BUK7510-55AL_08,BUK7608-40B,BUK7619-100B	產(chǎn)品購買
PSMN025-100D,118	MOSFET TAPE13 PWR-MOS	Nexperia	780.46 Kbytes	共14頁		產(chǎn)品購買
PSMN025-100D,118	MOSFET N-CH 100V 47A DPAK	Nexperia USA Inc.	794.46 Kbytes	共14頁		產(chǎn)品購買
PSMN025-100D,118	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：47A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：100V 柵源極閾值電壓：4V @ 1mA 漏源導通電阻：25mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 類型：N溝道	Nexperia(安世)	794.46 Kbytes	共14頁		產(chǎn)品購買