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PSMN040-200W
規(guī)格信息:

制造商:NXP

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

商標(biāo):NXP Semiconductors

Id-連續(xù)漏極電流:50 A

Vds-漏源極擊穿電壓:200 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:40 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:300 W

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-247-3

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:92 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:94 ns

工廠包裝數(shù)量:25

典型關(guān)閉延遲時間:230 ns

典型接通延遲時間:43 ns

零件號別名:PSMN040-200W,127

介紹圖PSMN040-200W
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
PSMN040-200WN-channel TrenchMOS transistor PHILIPS[NXP Semiconductors]PHILIPS[NXP Semiconductors]的LOGO-天天IC網(wǎng)87.01 Kbytes共7頁PSMN040-200W的PDF文件地址PHP34NQ10T,PHP9NQ20T,PSMN015-100B,PSMN130-200D,PSMN005-75P,IRF530N,PHB45NQ10T,PHN70308,PHT2NQ10T,PSMN020-150W PSMN040-200W的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
PSMN040-200WN-channel TrenchMOS transistor PHILIPS[NXP Semiconductors]PHILIPS[NXP Semiconductors]的LOGO-天天IC網(wǎng)86.17 Kbytes共7頁PSMN040-200W的PDF文件地址PHP34NQ10T,PHP9NQ20T,PSMN015-100B,PSMN130-200D,PSMN005-75P,IRF530N,PHB45NQ10T,PHN70308,PHT2NQ10T,PSMN020-150W PSMN040-200W的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
PSMN040-200W,127MOSFET N-CH 200V 50A SOT429NXP USA Inc.NXP USA Inc.的LOGO-天天IC網(wǎng)87.15 Kbytes共7頁PSMN040-200W,127的PDF文件地址 PSMN040-200W,127的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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