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IXFN360N10T
規(guī)格信息：

制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Chassis Mount

封裝 / 箱體:SOT-227-4

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Id-連續(xù)漏極電流:360 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2.6 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

Qg-柵極電荷:525 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:830 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:HiPerFET

封裝:Tube

產(chǎn)品:MOSFET Power

系列:IXFN360N10

晶體管類型:1 N-Channel

類型:Power MOSFET

商標:IXYS

正向跨導(dǎo) - 最小值:110 S

下降時間:160 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:100 ns

工廠包裝數(shù)量:10

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:80 ns

典型接通延遲時間:47 ns

單位重量:30 g

介紹圖IXFN360N10T
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
IXFN360N10TGigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET IXYS[IXYS Corporation]IXYS[IXYS Corporation]的LOGO-天天IC網(wǎng)181.33 Kbytes共6頁IXFN360N10T的PDF文件地址 IXFN360N10T的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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