制造商:IXYS
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Chassis Mount
封裝 / 箱體:SOT-227-4
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:60 V
Id-連續(xù)漏極電流:340 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:3 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:700 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:HyperFET
封裝:Tube
高度:9.6 mm
長度:38.2 mm
系列:IXFN340N06
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:25.07 mm
商標(biāo):IXYS
下降時間:33 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:95 ns
工廠包裝數(shù)量:10
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:200 ns
典型接通延遲時間:140 ns
單位重量:30 g
IXFN340N06
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFN340N06 | HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET | IXYS[IXYS Corporation] | 100.59 Kbytes | 共2頁 | IXFE80N50,IXFN26N90,IXFN75N50,IXFN90N30,IXFN36N100,IXFN39N90,IXFN180N10,IXFN44N60,IXFN60N60,IXFN340N07 | 產(chǎn)品購買 |
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