通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：14 A
最大漏源電壓：600 V
最大漏源電阻值：540 m0hms
最大柵閾值電壓：5V
最大柵源電壓：-30 V、+30 V
封裝類型：TO-247
安裝類型：通孔
引腳數(shù)目：3
晶體管配置：單
通道模式：增強(qiáng)
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：327 W
系列：HiperFET, Polar3
晶體管材料：Si
典型柵極電荷@Vgs：25 nC @ 10 V
典型輸入電容值@Vds：1480 pF @ 25 V
典型關(guān)斷延遲時(shí)間：43 ns
典型接通延遲時(shí)間：21 ns
寬度：5.3mm
每片芯片元件數(shù)目：1
高度：21.46mm
最低工作溫度：-55 °C
長(zhǎng)度：16.26mm
尺寸：16.26 x 5.3 x 21.46mm
最高工作溫度：+150 °C
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs