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IXFH12N90
規(guī)格信息：

制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-247-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:900 V

Id-連續(xù)漏極電流:12 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.1 Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:300 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:HyperFET

封裝:Tube

高度:21.46 mm

長度:16.26 mm

系列:IXFH12N90

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:5.3 mm

商標(biāo):IXYS

正向跨導(dǎo) - 最小值:12 S

下降時間:18 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:12 ns

工廠包裝數(shù)量:30

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:51 ns

典型接通延遲時間:18 ns

單位重量:6.500 g

IXFH12N90

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
IXFH12N90	HiPerFET Power MOSFETs	IXYS[IXYS Corporation]	85.99 Kbytes	共4頁	IXFN340N06,IXFH26N50,IXFH48N50,IXFN180N06,IXFK24N120Q2,IXFN21N100Q,IXFA3N80,IXFK25N90,IXFX44N60,IXFH32N50	產(chǎn)品購買
IXFH12N90	HIPERFET Power MOSFTETs	IXYS[IXYS Corporation]	295.27 Kbytes	共8頁	IXFN73N30Q,IXFH21N50,IXFR180N10,IXFX62N25,IXFK55N50,IXFK24N120Q2,IXFN21N100Q,IXFA3N80,IXFK25N90,IXFN340N06	產(chǎn)品購買
IXFH12N90P	Polar Power MOSFET HiPerFET	IXYS[IXYS Corporation]	184.73 Kbytes	共4頁		產(chǎn)品購買
IXFH12N90P	Power MOSFET	IXYS[IXYS Corporation]	234.64 Kbytes	共5頁		產(chǎn)品購買
IXFH12N90P_V01	Power MOSFET	IXYS[IXYS Corporation]	234.64 Kbytes	共5頁		產(chǎn)品購買
IXFH12N90Q	HiPerFET Power MOSFETs Q Class	IXYS[IXYS Corporation]	58.04 Kbytes	共2頁		產(chǎn)品購買