制造商:IXYS
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-247-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:500 V
Id-連續(xù)漏極電流:12 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:400 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:180 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Tube
高度:21.46 mm
長度:16.26 mm
晶體管類型:1 N-Channel
寬度:5.3 mm
商標(biāo):IXYS
下降時(shí)間:8 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:14 ns
工廠包裝數(shù)量:30
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:28 ns
典型接通延遲時(shí)間:11 ns
單位重量:1.600 g
IXFH12N50F
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXFH12N50F | HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching | IXYS[IXYS Corporation] | 303.26 Kbytes | 共2頁 | IXFX21N100F,IXFR55N50F,IXFH28N50,IXFX44N50F,AP9926EO,IXFH12N100F,IXFN55N50F,IXFN24N100,IXFK24N100,RFV10N50BE | 產(chǎn)品購買 |
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