制造商:IXYS
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-247-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:1 kV
Id-連續(xù)漏極電流:12 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.05 Ohms
Vgs th-柵源極閾值電壓:3.5 V
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Qg-柵極電荷:80 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:463 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:HiPerFET
封裝:Tube
高度:21.46 mm
長(zhǎng)度:16.26 mm
系列:IXFH12N100P
晶體管類(lèi)型:1 N-Channel
類(lèi)型:Polar HiPerFET Power MOSFET
寬度:5.3 mm
商標(biāo):IXYS
正向跨導(dǎo) - 最小值:4.8 S
下降時(shí)間:36 ns
產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
上升時(shí)間:25 ns
工廠包裝數(shù)量:30
子類(lèi)別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:60 ns
典型接通延遲時(shí)間:30 ns
單位重量:6.500 g