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IXFH10N100
規(guī)格信息：

制造商:IXYS

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-247-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:1 kV

Id-連續(xù)漏極電流:10 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.2 Ohms

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:300 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:HyperFET

封裝:Tube

高度:21.46 mm

長(zhǎng)度:16.26 mm

系列:IXFH10N100

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:5.3 mm

商標(biāo):IXYS

正向跨導(dǎo) - 最小值:10 S

下降時(shí)間:32 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:33 ns

工廠包裝數(shù)量:30

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:62 ns

典型接通延遲時(shí)間:21 ns

單位重量:6.500 g

IXFH10N100

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買
IXFH10N100	HiPerFET Power MOSFETs	IXYS[IXYS Corporation]	82.12 Kbytes	共4頁(yè)	IXFN73N30Q,IXFH26N50,IXFH48N50,IXFN180N06,IXFK24N120Q2,IXFN21N100Q,IXFA3N80,IXFK25N90,IXFN340N06,IXFH32N50	產(chǎn)品購(gòu)買
IXFH10N100	HIPERFET Power MOSFTETs	IXYS[IXYS Corporation]	295.27 Kbytes	共8頁(yè)	IXFN73N30Q,IXFH21N50,IXFR180N10,IXFX62N25,IXFK55N50,IXFK24N120Q2,IXFN21N100Q,IXFA3N80,IXFK25N90,IXFN340N06	產(chǎn)品購(gòu)買
IXFH10N100P	Polar Power MOSFET HiPerFET	IXYS[IXYS Corporation]	183.7 Kbytes	共4頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買
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IXFH10N100P_V01	Power MOSFET	IXYS[IXYS Corporation]	164.95 Kbytes	共6頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買
IXFH10N100Q	HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class	IXYS[IXYS Corporation]	146.65 Kbytes	共4頁(yè)	RJK6014DPP,IXFL34N100,IXFK24N100_07,IXFR24N100,IRAUDAMP1,HF-100,MRF5S19090HR3,PD55008-E,RFD8P06E_02,IRAUDAMP5	產(chǎn)品購(gòu)買