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IRLR024
規(guī)格信息:

FET 類型:N 溝道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):60V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):14A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):18nC @ 5V

Vgs(最大值):±10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):870pF @ 25V

功率耗散(最大值):2.5W(Ta),42W(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):100 毫歐 @ 8.4A,5V

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝:D-Pak

封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs

介紹圖IRLR024
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IRLR024TRRMOSFET N-CH 60V 14A DPAKVishay SiliconixVishay Siliconix的LOGO-天天IC網(wǎng)168.53 Kbytes共6頁IRLR024TRR的PDF文件地址 IRLR024TRR的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IRLR024ZAUTOMOTIVE MOSFET IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO-天天IC網(wǎng)215.66 Kbytes共11頁IRLR024Z的PDF文件地址IRF3808S,IRFR3504,IRFR1010Z,IRF1405Z,IRF3710Z,IRFR2905,IRF540ZL,IRFR3504PBF,IRLU2905Z IRLR024Z的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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