產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：Discrete Power MOSFETs 40V and Below
設(shè)計(jì)資源：IRLMS6702TR Saber Model IRLMS6702TR Spice Model
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
包裝：剪切帶（CT）
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：2.4A（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：200 毫歐 @ 1.6A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：700mV @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：8.8nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：210pF @ 15V
功率 - 最大值：1.7W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT-23-6
供應(yīng)商器件封裝：Micro6?（SOT23-6）
其它名稱：*IRLMS6702TRIRLMS6702IRLMS6702CT