產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below
設(shè)計(jì)資源：IRLML6402TR Saber Model IRLML6402TR Spice Model
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
包裝：帶卷（TR）
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：3.7A（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：65 毫歐 @ 3.7A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：1.2V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：12nC @ 5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：633pF @ 10V
功率 - 最大值：1.3W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：Micro3?/SOT-23
其它名稱：IRLML6402PBFTR