系列：HEXFET?
FET類型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：780mA（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.7V，4.5V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：3.6nC @ 4.5V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：97pF @ 15V
Vgs（最大值）：±12V
功率耗散（最大值）：540mW（Ta）
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：600 毫歐 @ 610mA，4.5V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：SOT23
封裝形式Package：SOT-23
極性Polarity：P-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：20V
連續(xù)漏極電流ID：0.78A
漏源電壓（Vdss）：20V
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：3.6nC
電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：97pF
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：15V
供應(yīng)商器件封裝：Micro3?/SOT-23
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs