產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：Discrete Power MOSFETs 40V and Below
設(shè)計資源：IRLML6302TR Saber Model IRLML6302TR Spice Model
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
包裝：剪切帶（CT）
FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：780mA（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：600 毫歐 @ 610mA，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：3.6nC @ 4.45V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：97pF @ 15V
功率 - 最大值：540mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：Micro3?/SOT-23
其它名稱：*IRLML6302TRIRLML6302IRLML6302-NDIRLML6302CT