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IRLR014TR
規(guī)格信息：

標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,000

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭：FET - 單

系列：-

包裝：帶卷（TR）

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓（Vdss）：60V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：7.7A（Tc）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：200 毫歐 @ 4.6A，5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：8.4nC @ 5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：400pF @ 25V

功率 - 最大值：2.5W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商器件封裝：D-Pak

IRLR014TR

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買
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IRLR014TRR	MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK	Vishay Siliconix	816.44 Kbytes	共13頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買