封裝/外殼：TO247
FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：195A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：1.7 毫歐 @ 195A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：162nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：10315pF @ 25V
功率耗散（最大值）：341W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：通孔
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：162nC
電壓，耦合至柵極電荷（Qg）（最大）@ Vgs：4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：10315pF
電壓，耦合至輸入電容（Ciss）（最大） @ Vds：25V
供應(yīng)商器件封裝：TO-247AC
通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：327 A
最大漏源電壓：40 V
最大漏源電阻值：2 m0hms
最大柵閾值電壓：2.5V
最小柵閾值電壓：1V
最大柵源電壓：-20 V、+20 V
封裝類型：TO-247AC
引腳數(shù)目：3
晶體管配置：單
通道模式：增強(qiáng)
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：341000 mW
最低工作溫度：-55 °C
最高工作溫度：+175 °C
每片芯片元件數(shù)目：1
長度：15.87mm
高度：20.7mm
系列：HEXFET
寬度：5.31mm
晶體管材料：Si
典型柵極電荷@Vgs：108 nC @ 4.5 V
典型輸入電容值@Vds：10315 pF@ 25 V
典型關(guān)斷延遲時(shí)間：97 ns
典型接通延遲時(shí)間：65 ns
尺寸：15.87 x 5.31 x 20.7mm
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs