設(shè)計資源：IRLHS6376TR2PBF Saber Model IRLHS6376TR2PBF Spice Model
特色產(chǎn)品：Dual PQFN 2x2 and Dual PQFN 3.3x3.3 Power MOSFETs
標準包裝：1
類別：分立半導體產(chǎn)品
家庭：FET - 陣列
系列：HEXFET®
包裝：剪切帶（CT）
FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：3.6A
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：63 毫歐 @ 3.4A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：1.1V @ 10µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：2.8nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：270pF @ 25V
功率 - 最大值：1.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-VDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：6-PQFN（2x2）
其它名稱：IRLHS6376TR2PBFCT