產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：Discrete Power MOSFETs 40V and Below
設(shè)計(jì)資源：IRLHS6242TR2PBF Saber Model IRLHS6242TR2PBF Spice Model
特色產(chǎn)品：PQFN 2x2
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
包裝：剪切帶（CT）
FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓（Vdss）：20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：10A（Ta），12A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：11.7 毫歐 @ 8.5A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：1.1V @ 10µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：14nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：1110pF @ 10V
功率 - 最大值：1.98W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：6-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝：6-PQFN（2x2）
其它名稱(chēng)：IRLHS6242TR2PBFCT