產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：Discrete Power MOSFETs 40V and Below
設(shè)計資源：IRLHS6342TR2PBF Saber Model IRLHS6342TR2PBF Spice Model
特色產(chǎn)品：PQFN 2x2
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
包裝：剪切帶（CT）
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：8.7A（Ta），19A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：15.5 毫歐 @ 8.5A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：1.1V @ 10µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：11nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：1019pF @ 25V
功率 - 最大值：2.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝：6-PQFN（2x2）
其它名稱：IRLHS6342TR2PBFCT