設(shè)計(jì)資源：IRLHS6276TR2PBF Saber Model IRLHS6276TR2PBF Spice Model
特色產(chǎn)品：Dual PQFN 2x2 and Dual PQFN 3.3x3.3 Power MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 陣列
系列：HEXFET®
包裝：剪切帶（CT）
FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：4.5A
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：45 毫歐 @ 3.4A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：1.1V @ 10µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：3.1nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：310pF @ 10V
功率 - 最大值：1.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：6-PowerVQFN
供應(yīng)商器件封裝：6-PQFN（2x2）
其它名稱：IRLHS6276TR2PBFCT