產(chǎn)品培訓模塊：High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below
標準包裝：50
類別：分立半導體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：120A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：3.1 毫歐 @ 75A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：2.7V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：110nC @ 5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：5080pF @ 25V
功率 - 最大值：200W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應商器件封裝：TO-262