產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Discrete Power MOSFETs 40V and Below
標(biāo)準(zhǔn)包裝:50
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭:FET - 單
系列:HEXFET®
包裝:管件
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss):40V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):104A(Tc)
不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 62A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):68nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3445pF @ 25V
功率 - 最大值:167W
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB
其它名稱:*IRL1104
IRL1104
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| IRL1104 | HEXFET Power MOSFET | IRF[International Rectifier] | 90.45 Kbytes | 共8頁(yè) | IRF7832,IRLMS1902,IRLL024N,IRL2910,IRF8910,IRFU330,IRL3402,IRLR3802,IRFI5210,19MT050XF | 產(chǎn)品購(gòu)買 | |||
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| IRL1104STRR | MOSFET N-CH 40V 104A D2PAK | Infineon Technologies | 197.81 Kbytes | 共11頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買 |
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