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IRL1104
規(guī)格信息:

產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Discrete Power MOSFETs 40V and Below

標(biāo)準(zhǔn)包裝:50

類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:FET - 單

系列:HEXFET®

包裝:管件

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓(Vdss):40V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):104A(Tc)

不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 62A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):68nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3445pF @ 25V

功率 - 最大值:167W

安裝類型:通孔

封裝/外殼:TO-220-3

供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB

其它名稱:*IRL1104

介紹圖IRL1104
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買
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