產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：Discrete Power MOSFETs 40V and Below
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：130A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：6.5 毫歐 @ 78A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：100nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：5330pF @ 25V
功率 - 最大值：3.8W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商器件封裝：TO-262
其它名稱：*IRL1004L