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IRL1004S
規(guī)格信息:

產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Discrete Power MOSFETs 40V and Below

標(biāo)準(zhǔn)包裝:50

類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:FET - 單

系列:HEXFET®

包裝:管件

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓(Vdss):40V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):130A(Tc)

不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 78A,10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):100nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):5330pF @ 25V

功率 - 最大值:3.8W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB

供應(yīng)商器件封裝:D2PAK

其它名稱:*IRL1004S

介紹圖IRL1004S
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