設(shè)計(jì)資源：IRFHS9351TR2PBF Saber Model IRFHS9351TR2PBF Spice Model
特色產(chǎn)品：Dual PQFN 2x2 and Dual PQFN 3.3x3.3 Power MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 陣列
系列：HEXFET®
包裝：剪切帶（CT）
FET 類(lèi)型：2 個(gè) P 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：2.3A
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：170 毫歐 @ 3.1A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 10µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：3.7nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：160pF @ 25V
功率 - 最大值：1.4W
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝/外殼：6-PowerVQFN
供應(yīng)商器件封裝：6-PQFN（2x2）
其它名稱(chēng)：IRFHS9351TR2PBFCT