封裝/外殼：PQFN 3X3 8L
FET 類型：P 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：11A（Ta），24A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V，20V
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：10 毫歐 @ 11A，20V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 25μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：48nC @ 10V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1543pF @ 25V
功率耗散（最大值）：2.8W（Ta）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
系列：HEXFET?
FET類型：P 溝道
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：11A（Ta），24A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V，20V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：2.4V @ 25μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：48nC @ 10V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1543pF @ 25V
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：10 毫歐 @ 11A，20V
封裝形式Package：PQFN
極性Polarity：P-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：30V
連續(xù)漏極電流ID：11A
供應(yīng)商器件封裝：PQFN（3x3）
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs