封裝/外殼：PQFN 3.3X3.3 8L
FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：10A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.35V @ 25μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：7.5nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：560pF @ 25V
功率耗散（最大值）：2.6W（Ta），20W（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：16 毫歐 @ 17A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
系列：HEXFET?
FET類型：N 溝道
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）：10A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：2.35V @ 25μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：7.5nC @ 4.5V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：560pF @ 25V
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：16 毫歐 @ 17A，10V
封裝形式Package：PQFN
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：30V
連續(xù)漏極電流ID：10A
供應(yīng)商器件封裝：8-PQFN（3.3x3.3），Power33
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs